碳化硅器件性能優(yōu)化：結合少子壽命檢測結果，可以指導SiC器件的設計和制造過程，優(yōu)化器件性能，提高成品率和可靠性。

 在超高壓工作條件下前景廣闊的雙極型SiC器件中，載流子壽命是影響器件性能的一個重要參數。表面復合是載流子壽命的限制因素之一，器件的設計和制造工藝的開發(fā)需要表面復合速度的定量值。

然而，在雙極SiC器件的開發(fā)中，有幾個困難需要克服，例如抑制退化和改進pn結的制造技術。其中一個重要的困難是控制載流子壽命。載流子壽命直接影響電導率調制行為；因此，器件的導通電阻和開關損耗取決于載流子壽命。

通過少子壽命值，確定了4H-SiC的Si面和C面的表面復合速度(S)及其溫度依賴性，研究者相信對表面復合速度定量值的全方面調查和討論將支持未來雙極SiC器件設計和開發(fā)的改進³。 

隨著SiC型IGBT的耐壓越來越高，要求少子壽命足夠高，以進行有效的電導調制，從而降低器件的正向導通壓降和導通電阻，但是同時也追求更高的開關速度，即希望反向恢復時間越短越好，這又要求少子壽命足夠低。如何在低的正向導通壓降和低的開關損耗之間進行折衷，是IGBT設計的關鍵。 

通過選擇合適的緩沖層厚度，通過局部控制器件漂移區(qū)和緩沖層的壽命，進行4H-SiC型n-IGBT功耗的優(yōu)化。

4H-SiC n-IGBT正向導通壓降和關斷損耗的權衡曲線

參考文獻：

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