多晶材料是由各晶粒組成的。晶粒對(duì)材料的性能影響很大，特別是隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，很多材料可在晶粒尺寸上大做文章。比如，近年來比較熱門的納米材料，當(dāng)晶粒尺寸達(dá)到納米量級(jí)，材料各方面的性能都會(huì)有很大變化。既然，晶粒尺寸很重要，那么，如何去測(cè)定晶粒尺寸呢？常用的有以下幾種方法：

  1）金相顯微鏡法：由于分辨率的限制，通常只適用于晶粒比較大（亞微米、微米級(jí)）的樣品分析；

  2）掃描電鏡法：一般只能分析顆粒尺寸，無(wú)法分辨晶粒尺寸；

  3）透射電鏡法：制樣困難，且為微區(qū)分析，統(tǒng)計(jì)性比較差；

  4）X射線衍射法：常用的晶粒尺寸分析方法，本文將詳細(xì)介紹。

1、謝樂（Scherrer）公式

  XRD用來分析晶粒尺寸，其原因在于尺度在約1 nm-100 nm的晶粒，可以引起衍射線的寬化。

其計(jì)算公式就是非常有名的謝樂（Scherrer）公式： 

  式中：K為常數(shù)， λ為X射線波長(zhǎng)；β為衍射峰半高寬；θ為衍射角，D代表垂直于觀測(cè)晶面的晶粒尺寸。K值與半高寬的確定方法、晶粒形狀、粒度分布有關(guān)，無(wú)定值，一般取0.87-1。通常，當(dāng)β為半寬高時(shí)，K取0.89；當(dāng)β為積分寬度時(shí)，K取1.0。一般說來，在晶粒尺寸小于100 nm時(shí)，應(yīng)力引起的寬化與晶粒尺度引起的寬化相比，可以忽略。此時(shí)， Scherrer 公式適用。但晶粒尺寸大到一定程度時(shí)，應(yīng)力引起的寬化比較顯著，此時(shí)必須考慮應(yīng)力引起的寬化，Scherrer 公式不再適用。

  如何扣除儀器寬化的影響？實(shí)驗(yàn)測(cè)定晶粒尺寸時(shí)，一般要利用標(biāo)樣測(cè)試出儀器線形g(2θ)，所謂標(biāo)樣就是不存在寬化效應(yīng)的試樣，它通常由粒度在5~20 μm之間的脆性粉末制成，也可以采用隨機(jī)帶的塊體標(biāo)樣，如LaB₆和Al₂O₃等。使用標(biāo)樣的方式有兩種：一種是在相同的實(shí)驗(yàn)條件下分別測(cè)試試樣和標(biāo)樣的衍射線形h(2θ)和g(2θ)；另一種是將標(biāo)樣摻入試樣內(nèi)，一次實(shí)驗(yàn)同時(shí)測(cè)試試樣和標(biāo)樣的衍射線形。前者可以采用與試樣相同的標(biāo)樣，于是可以測(cè)試試樣和標(biāo)樣的同指數(shù)衍射線，因此儀器因素校正較為準(zhǔn)確；后者的優(yōu)點(diǎn)是在同種條件下測(cè)試試樣和標(biāo)樣的線形，然而所測(cè)h(2θ)和g(2θ)存在一定的角度間隔。

3、晶粒尺寸的測(cè)定（不考慮微觀應(yīng)變）

  測(cè)出試樣的衍射線后，從實(shí)測(cè)線形中扣除儀器寬化的影響，獲得由晶粒寬化引起的真實(shí)半高寬β，終根據(jù)謝樂公式求出D_hkl。例如，用CuK_α測(cè)定SiO₂晶體，標(biāo)樣的半高寬為0.22^o，實(shí)測(cè)試樣的半高寬為0.37^o，選擇簡(jiǎn)單的計(jì)算方法β=0.37^o-0.22^o=0.15^o，代入謝樂公式，就可計(jì)算得到晶粒尺寸為182.3 nm。

4、微觀應(yīng)變（力）的測(cè)定

  由于塑性材料在形變、相變時(shí)會(huì)使滑移面、形變帶、孿晶、夾雜、晶界、亞晶界、裂紋、空位、缺陷等附近產(chǎn)生不均勻的塑性流動(dòng)，從而使材料內(nèi)部存在著微區(qū)（幾十埃）應(yīng)力。這種應(yīng)力也會(huì)由多相物質(zhì)中不同取向的晶粒的各向異性收縮或合金中相鄰相的收縮不一致或共格畸變所引起。同宏觀應(yīng)力不同，試樣中這種微觀應(yīng)力既無(wú)一定的方向，又無(wú)一定的大小。因此，它引起晶面間距的無(wú)規(guī)律變化，造成X衍射線寬化。微觀應(yīng)力與衍射線寬化的對(duì)應(yīng)關(guān)系為：

  這樣，只要知道了微觀應(yīng)力（變），就可以根據(jù)上式計(jì)算出來微觀應(yīng)力（變）引起的寬化。

5、微觀應(yīng)力寬化與晶粒尺寸寬化比較

  根據(jù)上述討論，晶粒尺寸寬化（β正比于λsecθ）和微觀應(yīng)力寬化（β正比于tgθ）遵循不一定的規(guī)律，因此，可以利用上述規(guī)律，用以下方法區(qū)分兩種寬化：1）利用不同波長(zhǎng)λ的X射線進(jìn)行測(cè)試：如果衍射線寬隨λ而改變，則寬化由晶粒尺寸引起，反之由微觀應(yīng)力引起；2）利用不同衍射線計(jì)算線寬并觀察其隨θ角的變化規(guī)律：βcosθ為常數(shù)，是由晶粒尺寸引起的寬化；βctgθ為常數(shù)，是由微觀應(yīng)力引起的寬化。3）如果同時(shí)存在晶粒尺寸和微觀應(yīng)力寬化，就復(fù)雜得多，牽涉到兩種寬化效應(yīng)的分離。

6、微觀應(yīng)力和晶粒尺寸寬化效應(yīng)的分離

  近似（經(jīng)驗(yàn)）函數(shù)法使微觀應(yīng)力和晶粒尺寸兩種寬化效應(yīng)分離的方法，常用的是通過近似（經(jīng)驗(yàn)）函數(shù)法。當(dāng)試樣中同時(shí)存在微晶和微觀應(yīng)力時(shí)，其真實(shí)線形f(x)應(yīng)是微晶線形c(x)與微觀應(yīng)力線形s(x)的卷積。所謂的近似（經(jīng)驗(yàn)）函數(shù)法就是選擇適當(dāng)?shù)囊阎瘮?shù)（常用高斯函數(shù)和柯西函數(shù)）形式去代表未知的微晶線形c(x)與微觀應(yīng)力線形s(x)，從而求出f(x)，c(x)和s(x)以及三個(gè)線形寬度β_f、β_c和β_s之間的關(guān)系（具體推導(dǎo)過程這里不再列舉）：

  根據(jù)各種θ角的衍射線，求出β_f，再利用上述公式作圖，從所得直線與橫坐標(biāo)的交點(diǎn)即可求出晶粒尺寸L，從斜率求出微觀應(yīng)變Δd/d，進(jìn)而可以獲得微觀應(yīng)力值。2）TOPAS軟件：基本儀器參數(shù)法

  布魯克TOPAS軟件可以根據(jù)基本儀器參數(shù)，直接計(jì)算儀器展寬；同時(shí)根據(jù)晶粒尺寸展寬和微觀應(yīng)變展寬隨θ角的變化規(guī)律，準(zhǔn)確區(qū)分開兩者引起的儀器展寬，從而獲得晶粒尺寸和微觀應(yīng)變信息；而且TOPAS軟件獲得的晶粒尺寸為體積平均晶粒尺寸，比根據(jù)謝樂公式只能得出垂直于所測(cè)晶面的晶粒尺寸相比，更能代表樣品中真實(shí)的晶粒尺寸信息。

7、應(yīng)用舉例TOPAS計(jì)算晶粒尺寸和微觀應(yīng)變

這里簡(jiǎn)要展示一個(gè)TOPAS軟件計(jì)算晶粒尺寸和微觀應(yīng)變的例子，具體步驟如下：

1）導(dǎo)入XRD測(cè)試數(shù)據(jù)，在“Emission Profile”界面，選擇對(duì)應(yīng)的光源波長(zhǎng)；

2）在“Background”界面，選擇描述背景的多項(xiàng)式級(jí)數(shù)（若低角度空氣散射嚴(yán)重，同時(shí)勾選1/X Bkg函數(shù)），并將Code命令改為“Refine”；

3）在“Instrument”界面，輸入測(cè)量時(shí)的儀器參數(shù)，包括測(cè)角儀半徑、發(fā)散狹縫、索拉狹縫和探測(cè)器開口信息；

4）在“Corrections”界面，勾選儀器零點(diǎn)校正Zero error，選“Refine”：

5）建立一個(gè)hkl phase，在“Phase Details”界面，輸入空間群和初始晶胞參數(shù)，選“Refine”；

6）在“Microstructure”界面，同時(shí)勾選Crystalline size欄的“Cry sizeL”和“Cry size G”，以及Strain欄的“Strain L”和“Strain G”，即可得到體積平均晶粒尺寸為22.6 nm（LVol-IB）以及微觀應(yīng)變e0為0.00006（界面下方是原始（藍(lán)色）和擬合后（紅色）的XRD圖譜）。

8、結(jié)論

1）實(shí)驗(yàn)所得XRD圖譜中，衍射峰的寬化，由儀器本身展寬、晶粒尺寸和微觀應(yīng)變?cè)斐傻膶捇C合造成的；2）謝樂公式是XRD計(jì)算晶粒尺寸的基本公式，其主要適用于1 nm-100 nm尺度的晶粒尺寸計(jì)算；3）晶粒尺寸寬化效應(yīng)和微觀應(yīng)變寬化效應(yīng)往往是同時(shí)存在的，在XRD圖譜進(jìn)行晶粒尺寸和微觀應(yīng)變分析時(shí)，需要進(jìn)行兩種效應(yīng)的分離；常用的近似（經(jīng)驗(yàn)）函數(shù)法計(jì)算復(fù)雜，工作量大；布魯克TOPAS軟件能快速準(zhǔn)確區(qū)分開儀器、晶粒尺寸和微觀應(yīng)變帶來的寬化效應(yīng)，是進(jìn)行材料晶粒尺寸和微觀應(yīng)變（力）分析的有力工具。